Η μνήμη Flash είναι μια μορφή τεχνολογίας ημιδιαπεραστικής και ηλεκτρικής επαναπρογραμματιζόμενης μνήμης. Η ίδια ιδέα μπορεί να χρησιμοποιηθεί στα ηλεκτρονικά κυκλώματα για να υποδηλώσει τεχνολογικά ολοκληρωμένες λύσεις. Στην καθημερινή ζωή, αυτή η ιδέα είναι καθορισμένη για μια ευρεία κατηγορία συσκευών στερεάς κατάστασης για την αποθήκευση πληροφοριών.
Απαραίτητη
USB flash drive, υπολογιστής με σύνδεση στο internet
Οδηγίες
Βήμα 1
Η αρχή της λειτουργίας αυτής της τεχνολογίας βασίζεται σε αλλαγές και εγγραφές σε απομονωμένες περιοχές ηλεκτρικού φορτίου σε δομή ημιαγωγών. Η αλλαγή μιας τέτοιας χρέωσης, δηλαδή η εγγραφή και η διαγραφή της, πραγματοποιείται με τη βοήθεια μιας εφαρμογής που βρίσκεται μεταξύ της πηγής και της πύλης του μεγαλύτερου δυναμικού της. Έτσι, δημιουργείται επαρκής ισχύς ηλεκτρικού πεδίου μεταξύ του τρανζίστορ και της θήκης σε ένα λεπτό διηλεκτρικό πεδίο. Έτσι προκύπτει το φαινόμενο της σήραγγας.
Βήμα 2
Οι πόροι μνήμης βασίζονται στην αλλαγή φόρτισης. Μερικές φορές συνδέεται με τη σωρευτική επίδραση μη αναστρέψιμων φαινομένων στη δομή του. Επομένως, ο αριθμός των καταχωρήσεων είναι περιορισμένος για το κελί flash. Αυτός ο αριθμός για το MLC είναι συνήθως 10 χιλιάδες μονάδες και για το SLC - έως και 100 χιλιάδες μονάδες.
Βήμα 3
Ο χρόνος διατήρησης δεδομένων καθορίζεται από τη διάρκεια αποθήκευσης των χρεώσεων, κάτι που συνήθως αναφέρεται από τους περισσότερους κατασκευαστές οικιακών προϊόντων. Δεν υπερβαίνει τα δέκα έως είκοσι χρόνια. Αν και οι κατασκευαστές δίνουν εγγύηση μόνο για τα πρώτα πέντε χρόνια. Πρέπει να σημειωθεί, ωστόσο, ότι οι συσκευές MLC έχουν μικρότερες περιόδους διατήρησης δεδομένων από τις συσκευές SLC.
Βήμα 4
Η ιεραρχική δομή της μνήμης flash εξηγείται από το ακόλουθο γεγονός. Διαδικασίες όπως η γραφή και η διαγραφή, καθώς και η ανάγνωση πληροφοριών από μια μονάδα flash, πραγματοποιούνται σε μεγάλα τμήματα διαφορετικών μεγεθών. Για παράδειγμα, ένα μπλοκ διαγραφής είναι μεγαλύτερο από ένα μπλοκ εγγραφής, το οποίο με τη σειρά του είναι μικρότερο από ένα μπλοκ ανάγνωσης. Αυτό είναι ένα ξεχωριστό χαρακτηριστικό της μνήμης flash από την κλασική. Ως αποτέλεσμα, όλα τα μικροκυκλώματά του έχουν έντονη ιεραρχική δομή. Έτσι, η μνήμη χωρίζεται σε μπλοκ, και σε τμήματα και σελίδες.
Βήμα 5
Η ταχύτητα της διαγραφής, της ανάγνωσης και της γραφής είναι διαφορετική. Για παράδειγμα, η ταχύτητα διαγραφής μπορεί να κυμαίνεται από ένα έως εκατοντάδες χιλιοστά του δευτερολέπτου. Εξαρτάται από το μέγεθος των πληροφοριών που διαγράφονται. Η ταχύτητα εγγραφής είναι δεκάδες ή εκατοντάδες μικροδευτερόλεπτα. Η ταχύτητα ανάγνωσης είναι συνήθως δεκάδες νανοδευτερόλεπτα.
Βήμα 6
Τα χαρακτηριστικά της χρήσης της μνήμης flash υπαγορεύονται από τα χαρακτηριστικά της. Επιτρέπεται η παραγωγή και πώληση μικροκυκλωμάτων με οποιονδήποτε αριθμό ελαττωματικών κυττάρων μνήμης. Για να μειωθεί αυτό το ποσοστό, κάθε σελίδα παρέχεται με μικρά πρόσθετα μπλοκ.
Βήμα 7
Το αδύναμο σημείο της μνήμης flash είναι ότι ο αριθμός των κύκλων επανεγγραφής σε μια σελίδα είναι περιορισμένος. Η κατάσταση γίνεται ακόμη χειρότερη λόγω του γεγονότος ότι τα συστήματα αρχείων γράφουν συχνά στην ίδια θέση μνήμης.
